382nm紫光二极管

摘要：

研制成功InGaNp-n异质结紫色发光二极管。本器件在工作电压5V工作电流20mA时的电致发光波长为382nm，半高宽为11nm。

关键词： 紫光二极管 半导体GaN材料 直接带隙 饱和速度

作者: 江风益 熊传兵 彭学新 王立 李鹏 周毛兴

作者单位: 南昌大学材料所(南昌) 南昌746厂欣磊公司(南昌)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 85～87

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）