会议专题

FN遂道B因子对MOSFET寿命预测的影响

FN遂道 薄栅氧化硅 栅电流 势垒

薛静 许铭真 谭长华

大学微电子研究所

国内会议

第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

大连

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505~507

1999-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)