重掺锑直拉硅单晶电阻率的控制

摘要：

通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大，推导一经验公式，选用适当工艺参数，能准确控制单晶电阻率大小及其纵向均匀性。

关键词： 重掺锑 硅单晶 电阻率 工艺

作者: 万关良 方锋 吴志强 郝玉清 张果虎

作者单位: 有色金属研究总院

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 71～72

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）