Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀

摘要：

该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度。这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心。从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅初底片增强氧沉淀的机理。

关键词： 重掺锑 硅衬底片 氧沉淀 低温短热退火

作者: 王启元 王俊 韩秀峰 邓惠芳 王建华 昝育德

作者单位: 科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 119～123

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）