中子辐照直拉硅中氧的扩散研究

摘要：

该文对中子辐照直拉硅（ＮＴＤＣＺＳｉ）在１１５０°Ｃ退火氧的外扩散分布用热转换扩展法（ＴＣＳＲ）进行了测量，通过对氧外扩散曲线的拟合得出：与未辐照硅相比，在１１５０退火出现了显著地减慢。这些现象被解释为硅中氧以空位为主的扩散机制进行扩散。

关键词： 中子辐射 直拉硅 氧外扩散 扩散机制

作者: 李养贤 牛萍娟 刘彩池

作者单位: 工业大学半导体材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 31～33

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）