FLASH ROM的14MeV中子辐照实验研究
文中给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现28F256A的14MeV中子辐照效应不同于以往所以认为的单粒子效应，它只有“0”→“1”错误。错误发生有个注量阈值，当中子注量小于某一个值时，无错误。当中子注量达到一定值时，几乎同时出现多个错误。随着中子注量的增加，错误数增加直到所有“0”变为“1”。器件在加电下辐照后测量，错误比动态监督的器件少一个量级。随着读取次数的增加。错误数增加，硬错误数也增加，出现不确定性错误。实验所发现的错误大部分为硬错误，无法用编程器进行擦除和写入数据。
FLASH ROM 中子 辐照效应
贺朝会 贺朝会 陈晓华 王燕萍 姬琳
核技术研究所(西安) 交通大学微电子工程系(西安)
国内会议
大连
中文
243～245
1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）