智能剥离SOI制备工艺研究

摘要：

采用改进的ＲＣＡ清洗工艺，首次提出了积聚式缓慢退火剥离方法成功地制备了３英寸智能剥离ＳＯＩ结构，比较分析了不同的清洗和退火工艺对剥离后形成的ＳＯＩ结构表面质量的影响，用ＡＦＭ、ＲＢＳ测试方法对制备的ＳＯＩ结构进行了特性表征，结果表明上层硅表面平整度较高，高温退火后单晶性得到恢复。

关键词： 智能剥离 积聚式 缓慢退火剥离

作者: 吴东平 竺士场 黄宜平 李爱珍 包宗明

作者单位: 大学电子工程系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 176～179

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）