智能剥离SOI材料的制备过程研究

摘要：

用积聚式缓慢地退火方法在较低的温度下(390℃)成功地获得了用智能剥离技术形成的SOI结构。用红外透射成象技术分析了智能剥离的准动态过程。由于H在硅中对硅器件的抗辐照性能有很大影响，用红外付立叶谱分析了注入在硅中的H离子在剥离过程中的行为，表明没有明显的Si-H键的存在。

关键词： 智能剥离 SOI结构 硅片直接键合技术

作者: 吴东平 包宗明 李爱珍 黄宜平 宋丹丹

作者单位: 复旦大学电子工程系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 251～255

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）