直流磁控溅射SiC薄膜的制备与性能

摘要：

该文采用直流磁控溅射法直接溅射烧结型SiC靶材制备SiC薄膜，通过控制系统的真空度和绝缘性能，得到了非晶SiC薄膜。研究了气体压力、溅射功率、靶基距等工艺条件对沉积速率的影响。测试了薄膜的硬度和热敏特性。

关键词： 直流磁控溅射 SiC薄膜 烧结靶

作者: 亓常松 冉均国 郑昌琼

作者单位: 联合大学无机材料系(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 457～459

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）