Fe／si多层膜的层间耦合与磁电阻效应的研究
该文报道在溅射的Fe/si多层膜中发现的较高负磁电阻效应，磁电阻比为目前国际最高值。并进而研究了电子输运性质与si层，及整个膜厚的依赖关系。研究结果表明，Fe／si多层膜中的层间耦合机制是与一般磁性金属/非磁金属系统的RKKY作用是一致的。引言：自从在Fe／Si多层膜中发现巨磁电阻效应以来，人们对各种多层膜系统都进行了广泛的研究。Inomata等人第一次报道了Fe/Si多层膜中的巨磁电阻效应，当Si层厚度不同时磁电阻效应存在两种不同的温度依赖性。并由此得出结论，Fe/si多层膜中的层间耦合是由窄带半导体Fe/si化合物中的局域态通过热激发导致的”1”。然而，Inomata等人发现的磁电阻比仅为0.1-0.15，曾有入怀疑如此小的磁电阻效应可能来源于Fe层中的磁化强度的混乱分布，而并非反铁磁耦合所致”2”。为了更好地理解Fe/si多层膜的层问耦合机制有必要更细致的研究。
Fe／si多层膜 层间耦合 磁电阻效应
童六牛 吴静
国内会议
中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议
杭州
中文
30～31
1998-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）