枝状畴的形成及其线结构维数计算
提出了在石榴石磁泡薄膜中产生单个枝状畴（MBD）的“低静态偏磁场法”。随着静态偏磁场H<,b>从“枝状膨胀的临界偏磁场”H”d”的降低，相应的MBD的畴形变得越来越复杂，伴随着畴壁中含有布洛赫线（VBL）链的几类硬磁泡的相继形成。把分形几何方法用于MBD，计算了MBD极其弯曲的畴壁结构的线结构维数D<,line>，定量描述了它们的弯曲和分枝程度，并与其畴壁中的VBL的形核在一定的程度上联系了起来。
枝状畴 石榴石磁泡薄膜 低静态偏磁场法 线结构 维数计算
李丹 周雁 韩宝善 郑德娟
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室 中国科学院低温实验技术中心
国内会议
北京
中文
35-36
1999-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）