Fe／A1 2O3 /Fe隧道结中AL 2O 3层的俄歇谱研究

摘要：

采用离子束溅对方法制备了Fe/Al2O3/Fe系列隧道结样品（其中一层Fe膜的溅射温度为250℃，另一层Fe，膜的溅射温度为室温，中间氧化层采用Al膜自的氧化的方法制备），测量了样品的伏安特性和磁电阻效应，观察到了数值为5．89℅的磁电阻效应，并采用俄歇电子谱方法对氧化层的氧化情况对样品磁电性质的影响进行了研究。

关键词： Fe／A1 2O3 /Fe隧道结 AL 2O 3层 俄歇谱研究

作者: 陈浩 徐庆宇

作者单位: 大学固体微结构物理实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 72～73

在线出版日期: 1998-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）