重掺杂p-InP(Zn)中载流子补偿机制的正电子湮没研究

摘要：

该文测量了不同掺Zn浓度的p型InP材料中正电子寿命随温度的变化。结果发现随着温度的上升，带负电荷的受主Zn<,In>会与带正电荷的P空位发生相互作用形成中性的缺陷复合体。同时还发现，缺陷复合体的形成与载流子浓度密切相关，在重掺杂的材料中低温下即可形成。文中讨论了在重掺杂的p-InP中缺陷复合体的形成与载流子饱和现象的关系。

关键词： 正电子湮没 磷化铟 载流子补偿

作者: 陈志权 王柱 王少阶

作者单位: 武汉大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第七届正电子湮没学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 72-75

在线出版日期: 1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）