用正电子寿命连续分布鉴别Ⅲ-Ⅴ族化合半导体中的缺陷

摘要：

该文利用拉普拉斯逆变换和最大熵原理两种国际最新流行的方法分析了半导体材料中的正电子寿命谱，通过测量正电子寿命的连续分布，鉴别了两种化合物半导体GaAs和InP中的缺陷，结果表明，正电子寿命分布能提供关于缺陷的更为详尽的信息。因此能更准确的鉴别缺陷，解决以往研究中长期没有解决的问题。

关键词： 正电子寿命分布 最大熵原理 拉普拉斯逆变换 缺陷

作者: 陈志权 王柱 王少阶

作者单位: 武汉大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第七届正电子湮没学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 68-71

在线出版日期: 1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）