用正电子寿命测量技术研究高能氩离子辐照在硅中产生的缺陷

摘要：

该工作用750MeV氩离子在室温下对单晶硅样品进行了辐照，用正电子寿命测量技术对辐照产生的缺陷进行了研究。

关键词： 正电子寿命 氩离子辐照 缺陷

作者: 朱智勇 侯明东 金运范 李长林 刘昌龙 张崇宏 孙友梅 陈克勤

作者单位: 中国科学院近代物理研究所(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第七届正电子湮没学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 76-78

在线出版日期: 1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）