用正电子湮没技术研究Zr和Nb在TiAl合金中的行为

摘要：

测量了TiAl、Ti<,50>Al<,48>Zr<,2>和Ti<,50>Al<,48>Nb<,2>的正电子寿命谱。结果表明，TiAl合金的基体电子密度比金属Ti和金属Al基体的低，TiAl合金中金属键和共价键共存。TiAl合金晶界缺陷的开空间大于Al空位，晶界缺陷处的价电子密度较低，是结合弱化区域。在TiAl合金中分别加入Nb和Zr元素，使合金基体和晶界的价电子密度升高。用Nb和Zr对TiAl进行合金化，有利于改善合金的塑性。

关键词： 正电子寿命 合金元素 价电子密度 TiAl合金

作者: 吴伟明 黄宇阳 邓文 钟夏平 曹名洲 龙期威

作者单位: 广西大学物理系(南宁) 中国科学院国际材料物理中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第七届正电子湮没学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 33-35

在线出版日期: 1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）