Fe x(In 2○ 3)1-X颗粒膜的巨磁电阻研究①
该文研究了用射频溅射法制备的金属/半导体磁性颗粒膜Fe x(In 2 ○ 3)2-的电阻和磁电阻特性,特别是低温下二者的温度关系。发现在2K下,磁电阻比达-86℅,并用近藤(KondO)效应,对此做了解释。
Fe x(In 2○ 3)1-X颗粒膜 巨磁电阻
张连生 张林
大学物理系(济南)
国内会议
中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议
杭州
中文
42~43
1998-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)