FCVAD合成非晶金刚石薄膜研究

摘要：

用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了非晶刚石(ta-C)薄膜，Raman光谱和XPS分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的ta-C薄膜SP<”3>键含量最高，可达80℅以上。

关键词： FCVAD方法 非金刚石薄膜

作者: 王广甫 田人和 吴瑜光 张孝吉

作者单位: 北京师范大学分析测试中心 北京师范大学低能核物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 85～87

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）