锗/硅纳米周期超晶格的X射线双晶衍射

摘要：

用Ｘ射线双晶衍射对气源分子束外延（ＧＳ－ＭＢＥ）制备的锗／硅纳米周期超晶格（ＮＰＳ）样品进行了分析。发现对硅层厚度较小的样品，双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽，且看不到干涉引起的精细结构，对硅层较厚的样品，摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰较窄，并有明显的由干涉产生的精细结构，对硅层厚度在２．１￣２．９ｎｍ之间的样品，超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰。

关键词： 锗硅 纳米材料 外延生长 超晶格 X射线衍射分析

作者: 季振国 卢焕明 宇佐美德隆

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室(杭州) 大学先端科学技术研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 416～418

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）