锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜（HRTEM）研究

摘要：

该文报道用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD）方法，采用锗岛缓冲层技术，在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜（HRTEM）显示，外延层界面过渡良好，外延层顶部结晶质量优于采用线性渐变缓冲层技术生长的锗硅外延层。

关键词： 锗岛缓冲层 锗硅外延层 高分辨电镜

作者: 陈伟华 黄靖云

作者单位: 大学硅材料重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 150～152

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）