栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征。并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较，探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因。结果显示，氢氧合成工艺之所以比干氧工艺损伤明显，是因为H的引入产生了更多的界面态，从而使其单管的跨导明显下降所致。表明，对N沟输入CMOS运放电路，抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长，对提高电路的抗辐射特性至关重要。
运算放大器 跨导 界面态 电离辐照 栅氧化
陆妩 郭旗 任迪远 余学锋 张国强
中科院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
国内会议
成都
中文
495～499
2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）