Si＜，4＞N、Si＜，4＞O、Si＜，4＞S、Si＜，5＞H＜，3＞原子簇结构的理论研究
对原子簇研究，带有挑战性的关键问题在于确定原子在簇中的排列。由于原子簇结构，在实验上一般不可能直接观察。因此，就需要将理论教育处结果与间接的实验测量相结合，来最后建立原子簇结构。其中，在原子簇最优几何构型下，理论计算出的各振动模式下的IR频率与强度以及Raman活性，对与实验相结合，最终确定原子簇结构，起到很重要的作用。本工作，用B3LYP密度泛函方法，探讨了Si＜，5＞原子簇经N、O、S取代后，生成代位原子簇Si＜，4＞N、Si＜，4＞O、Si＜，4＞S的结构；用HF方法，探讨了Si＜，5＞原子簇加氢生成的Si＜，5＞H＜，3＞原子簇结构。两种方法均采用6-311+G（2d）6d基组，全部计算在SGI工作站上完成。
原子簇 结构 频率 活性
孙仁安 刘永东 丛尧
辽宁师范大学化学系(大连) 吉林大学理论化学计算国家重点实验室(长春)
国内会议
福州
中文
371-372
1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）