原位生长法制备SiC<,p>/SiC陶瓷基复合材料
本文以聚碳硅烷和SiC粉为原料，采用原位生长法制备出了SiC<,p>/SiC陶瓷基复合材料.实验结果表明:材料经过反复浸渍四次后,其相对体积密度由2.13g/cm<”3>上升到2.52g/cm<”3>,开口气孔率则由32.95℅下降到3.48℅;经四次浸渍后的材料的抗弯强度可达到198.06Mpa,断裂韧性可达到3.25Mpa·m<”-1/2>.另外,实验还发现,试样经第一次裂解后,具有良好的机加工性能,而在随后的反复浸渍过程中,其几何尺寸保持不变.
原位生长法 碳化硅陶瓷 复合材料 制备工艺
王思青 周新贵 张长瑞 贾友成 周安郴
国防科技大学航天与材料工程学院(长沙)
国内会议
合肥
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284-287
2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）