IGBT大功率E类软开关逆变器

摘要：

以前关于E类软开关逆变器的文献大多用MOSFET(场效应管)作为开关元件.本文研究了用IGBT作为开关元件的E类逆变器.目的是既要获得比MOSFET更高的输出功率,又要使IGBT在保持高效率的前提下能够在更高的频率下工作.实验取得了如下结果:IGBT的开关效率为97﹪,开关频率为200kHz,输出功率为2kW.研究表明,用IGBT作为开关元件的E类逆变器能够获得高频率的大功率正弦波输出.

关键词： E类逆变器 IGBT 场效应管 正弦波 开关损耗

作者: 刘平 陈庆川 李青 曾旭初

作者单位: 成都普斯特电气有限责任公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国特种电源与元器件年会

会议地点: 马鞍山

会议语种:中文

页码: 35-40

在线出版日期: 2002-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）