FLASHROM芯片高能中子单粒子效应研究

近年来高能中子(14MeV)对计算机存储器芯片的单粒子效应引起了广泛的注意.本文简要报告了FLASHROM存储器芯片的高能中子单粒子效应试验方法和结果.
高能中子 单粒子效应 存储器
杨怀民 范思安 胡尚斌 王学智 李健
中国工程物理研究院电子工程研究所 兰州大学(甘肃兰州)
国内会议
厦门
中文
456-459
2002-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
高能中子 单粒子效应 存储器
杨怀民 范思安 胡尚斌 王学智 李健
中国工程物理研究院电子工程研究所 兰州大学(甘肃兰州)
国内会议
厦门
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456-459
2002-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)