FLASHROM芯片高能中子单粒子效应研究

摘要：

近年来高能中子(14MeV)对计算机存储器芯片的单粒子效应引起了广泛的注意.本文简要报告了FLASHROM存储器芯片的高能中子单粒子效应试验方法和结果.

关键词： 高能中子 单粒子效应 存储器

作者: 杨怀民 范思安 胡尚斌 王学智 李健

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 兰州大学(甘肃兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 456-459

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）