CMOS运算放大器的辐照和退火行为

摘要：

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同退火偏置、不同退火温度条件下,运放整体性能电参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律.分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因,并从机理上进行了探讨.

关键词： CMOS运算放大器 电离辐照 退火行为 MOS器件

作者: 任迪远 陆妩 郭旗 余学锋 张国强 严荣良 王明刚 胡浴红 赵文魁

作者单位: 中国科学院新疆物理研究所(新疆乌鲁木齐) 西安微电子技术研究所(陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 441-444,555

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）