SRAM单粒子翻转效应的二维数值模拟

摘要：

用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上建立分析器件SEU的可靠手段.对MOSFET漏区模拟得到结果与电荷漏斗模型相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性.通过输入不同粒子的LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷.

关键词： 单粒子翻转 能量传输 电荷漏斗模型 数值模拟

作者: 郭红霞 陈雨生 周辉 贺朝会 李永宏

作者单位: 西北核技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 421-425

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）