硅漂移室室温低能X射线探测器的研制

摘要：

叙述了用高阻Si制成的平面工艺漂移室室温低能X射线探测器的结构以及信号收集电极在不同偏置时漏电流的变化.给出了探测器内部电位分布及电子浓度分布的两维计算机模拟图,由此可清楚地看出X射线产生的电子在探测器内部的漂移情况.还给出了在室温下单个圆形20mm<”2>SDD对5.9keV X射线的能量分辨率(FWHM=1.3keV),并对结果进行了分析.

关键词： 能量分辨率 X射线探测器 硅漂移室探测器

作者: 张万昌 李正 赵灵娟

作者单位: 中国原子能科学研究院 美国BROOKHAVEN国家实验室 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 227-230

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）