RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响
采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜.研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响.样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽较小.而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小.此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间的关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好.
ZnO薄膜 RF磁控溅射 XRD谱 薄膜结晶性
张源涛 殷宗友 杨树人 马艳 杜国同
吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室(长春)
国内会议
四川绵阳
中文
327-331
2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）