ZnS/ZnSe多量子阱研制

摘要：

采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP--MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10﹪稀释在H<,2>中的H<,2>Se和H<,2>S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层,制备出了垒宽和阱宽都为10nm,周期为100的ZnS-ZnSe超晶格多量子阱结构.

关键词： ZnS-ZnSe多量子阱 AP--MOCVD系统 垒宽 阱宽

作者: 刘大力 杜国同 何晓东 王一丁 王金忠

作者单位: 吉林大学集成光电子国家重点联合实验室(长春) 吉林大学通信工程学院(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国光学学术会议

会议地点: 四川绵阳

会议语种:中文

页码: 197-200

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）