循环形变单晶体驻留滑移带的演化

摘要：

采用三维离散位错静力学方法,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对单滑移取向疲劳Cu单晶驻留滑移带(PSBs)形成位错结构的演化进行观察的结果,对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布鞋.由计算机模拟和对内应力场的计算分析对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制.

关键词： 循环形变Cu单晶 驻留滑移带 模拟 内应力场 疲劳损伤 扫描电镜电子通道衬度

作者: 杨继红 李守新 李勇 柯伟

作者单位: 中国科学院金属研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国疲劳和断裂学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 257-259

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）