用于MePIIID技术的大功率强流脉冲阴极弧金属等离子体源研究

摘要：

金属等离子体浸没离子注入与沉积(MePIIID)技术是材料表面改性领域极有发展前景的技术之一.本文介绍了最新研制的脉冲阴极弧等离子体原装置的设计原理和参数测试.

关键词： 金属等离子体浸没 离子注入 离子束增强沉积 金属等离子体源

作者: 王浪平 王小峰 汤宝寅 张根伟 甘孔银

作者单位: 哈尔滨工业大学现代焊接技术国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届表面工程技术产业化学术交流会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 121-123

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）