H<,2>在(Si H<,4>+C H<,4>)等离子体中的稀释效应

摘要：

在本文的工作中,我们用常规的甲烷作为碳源,改变比率Y(CH<,4>)=CH<,4>/(SiH<,4>+CH<,4>),发现在相对低的基体温度(180℃)条件下最优辉光放电沉积参数;着重分析和研究了具有光学能隙在2.1eV~3.2eV范围内的α-Si<,1-x>C<,x>:H<,k>薄膜的特性以及H<,2>在Si H<,4>+CH<,4>等离子体中的稀释效应.

关键词： 非晶氢化碳化硅 薄膜材料 稀释效应 薄膜特性 等离子

作者: 秦志钰 容幸福

作者单位: 太原理工大学机械工程学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届表面工程技术产业化学术交流会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 86-89

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）