纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响

摘要：

研究了自然退火、纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响,分析了不同退火方式对样品GMI效应影响的原因.无磁场退火样品最大的磁阻抗比达192﹪.纵向磁场退火样品最大磁阻抗比高达363﹪.

关键词： 软磁材料 非晶薄带 GMI效应 磁场退火 磁阻抗

作者: 代由勇 吴厚政 萧淑琴 刘宜华 梅良模

作者单位: 山东大学物理与微电子学院(济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国磁学和磁性材料会议

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 336-337

在线出版日期: 2002-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）