Fe<,x>/(In<,2>O<,3>)<,1-x>颗粒膜中的自旋相关跃迁磁电阻效应

摘要：

用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fe<,x>/(In<,2>O<,3>)<,1-x>.室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;所得到的巨磁电阻最大值为5.15﹪,遵从于颗粒膜磁电阻的平方律;在2.2K时得到高达506﹪巨磁电阻,这是一种与室温下完全不同的自旋相关跃迁磁电阻效应,是由分散在In<,2>O<,3>中磁性杂质Fe原子对局域磁矩的影响形成的.

关键词： 射频溅射法 金属半导体 膜 磁电阻效应

作者: 黄宝歆 刘宜华 王军华 张林 张汝贞 张连生 梅良模

作者单位: 山东大学物理学院和晶体材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国磁学和磁性材料会议

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 103-104

在线出版日期: 2002-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）