新型CMR材料:La0.9Te0.1MnO3
首次研究了在锰氧化物中掺杂Ⅵ族元素Te所引起的巨磁效应(CMR).发现La<,0.9>Te<,0.1>MnO<,3>可能是Mn<”2+>-Mn<”3+>混合价态的新型巨磁阻材料,为畸变的ABO<,3>结构,低温下呈现明显的自旋玻璃态现象.在4T的磁场作用下,金属-半导体转变温度为221K,MR﹪值为50.7﹪.在低场(<0.1T)下,电阻率对磁场响应敏感,也具有较高的MR﹪值.
巨磁阻材料 LaO 9TeO IMnO<,3> 巨磁阻效应
谈国太 段萍 戴守愚 陈正豪 吕惠宾 周岳亮
中科院物理所光物理实验室(北京)
国内会议
长沙
中文
75-76
2002-11-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)