平膜状双自旋过滤隧道结的磁电阻:偏压,垒高,垒厚和分子场的影响

摘要：

针对平膜状NM/FI/NM型双自旋过滤隧道结(DSFJ;此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘(半导)体层),计算了偏压V,FI垒高U<,0>,FI厚度d<,FI>和FI分子场大小h<,0>对磁电阻(TMR)的影响.结果表明:当V不太大时,DSFJ的确有很高的TMR;V,U<,0>,d<,FI>,特别是h<,0>,对它均有影响.此外随着V的增大,TMR先缓慢升高,待到达一个极大值后再下降.此特点使DSFJ有别于传统的FM/NI/FM型磁隧道结(此处FM和NI分别表示铁磁电极和非磁绝缘(半导)体层)及其变种,甚有利于实际应用.

关键词： 自旋过滤隧道结 磁电阻 偏压 分子场

作者: 谢征微 李玉现 李伯臧

作者单位: 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心(北京);四川师范大学物理系(成都) 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心(北京);河北师范大学物理系(石家庄) 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国磁学和磁性材料会议

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 63-64

在线出版日期: 2002-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）