Fe<,3>O<,4>多晶薄膜隧道磁电阻效应

摘要：

我们用磁控溅射的方法,用Fe<,2>O<,3>靶溅射制备了Fe<,3>O<,4>多晶薄膜,在室温下获得了大约为-1.2﹪的磁电阻.测量了从室温到液氮温度(78K)电阻随温度的变化关系,没有发现Verway转变,电阻与exp(T-1/2)成正比,这表明磁电阻来源于Fe<,3>O<,4>晶粒间通过晶界的自旋相关的电子隧穿.

关键词： 磁控溅射 多晶薄膜 Fe<,3>O<,4> 隧道磁电阻效应

作者: 蒋晓龙 高俊 王飞 徐庆宇 倪刚 张凤鸣 都有为

作者单位: 南京大学固体微结构实验室(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国磁学和磁性材料会议

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 59-60

在线出版日期: 2002-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）