纳米多孔硅的研制及其场致发射特性

摘要：

本文利用水热法铁离子腐蚀单晶硅的纯化学方法获得具有微米和纳米级复合结构的多孔硅,作为真空微电子器件使用的场致发射电子源.该种多孔硅表面遍布很多孔隙和纳米级大小的硅柱,在低电压下具有良好的场发射性能,发射曲线符合Fowler-Nordheim公式.

关键词： 纳米多孔硅 场致发射 水热法 电子源 阴极材料

作者: 张勇 朱长纯 刘卫华 贺永宁

作者单位: 西安交通大学电气工程学院(中国陕西西安) 西安交通大学电信工程学院(中国陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 121-122

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）