涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的研究

摘要：

本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺,热解法获得的碳纳米管经过研磨,再与粘合剂、有机溶剂混合,直接涂敷在硅基底上,用二极管结构测量了其场发射特性,其开启电压为1.02V/μm,电流密度在4.5V/μm时达到了6.8μA/cm<”2>.在磁场下进行表面处理,开启电压提高到2.79V/μm,但最大发射电流有很大提高,可能缘于在磁场的作用下,碳纳米管的取向、分布状态发生了变化.

关键词： 涂敷法 碳纳米管 场发射特性 阴极材料

作者: 王琪琨 朱长纯 蒋飞

作者单位: 西安交大真空微电子研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 114-116

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）