一种氧化物半导体激光器材料-ZnO纳米晶薄膜及其紫外激光
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调整晶粒自身的尺寸和结晶质量,可以在较低的光泵阈值下实现紫外激光.
激光分子束外延 ZnO纳米晶薄膜 紫外受激发射 半导体激光器
贺永宁 朱长纯 张景文
西安交通大学电信学院电子系 中国科学院西安光学精密机械研究所
国内会议
西安
中文
68-71
2001-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)