氮化硼薄膜场致发射特性的研究

摘要：

本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中我们测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.

关键词： BN薄膜 场发射 偏压 膜厚 磁控溅射

作者: 顾广瑞 何志 李英爱 冯伟 金生 殷红 李卫青 赵永年

作者单位: 吉林大学超硬材料国家重点实验室(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 62-64

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）