单壁碳纳米管的场发射和逸出功的测量

摘要：

作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.

关键词： 碳纳米管 场发射 逸出功 四极质谱计

作者: 张兆祥 侯士敏 孙建平 张耿民 赵兴钰 刘惟敏 薛增泉 施祖进 顾镇南

作者单位: 北京大学电子学系(北京) 北京大学化学与分子工程学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 16-19

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）