不同沟长MOSFET的退化特性

摘要：

本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.

关键词： 沟长 热载流子效应 跨导 退化特性 半导体器件 可靠性

作者: 朱炜玲 黄美浅 章晓文

作者单位: 华南理工大学应用物理系微电子专业 信息产业部电子第五研究所分析中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会

会议地点: 银川

会议语种:中文

页码: 209-213

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）