退火对ZnO薄膜结晶性能的影响
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优异的压电、压敏、气敏以及光电性能,特别是c轴取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜在表面声波(SAW)、太阳能电池等许多领域得到广泛应用,随着p型掺杂的实现,ZnO薄膜在LEDs——LDs等光电领域也有着很大的发展潜力.ZnO作为一种薄膜材料,其良好的结晶性能,如低的应力和高的表面平整度,是ZnO基器件制作的必然要求.退火可以较大幅度的改善薄膜结晶性能,文章对此进行了深入研究,得到了具有优异综合结晶性能的高度c轴取向ZnO薄膜.
ZnO薄膜 磁控溅射 退火 结晶性能
吕建国 叶志镇 赵炳辉 汪雷
浙江大学硅材料国家重点实验室(浙江杭州)
国内会议
长春
中文
95-97
2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）