超薄SiO<,2>薄膜缺陷产生机制的研究

摘要：

在电场压力作用下的SiO<,2>薄膜中能产生缺陷.本文讨论在直接隧道应力模式下超薄二氧化硅薄膜晶体缺陷的产生机制及原理.

关键词： 二氧化硅薄膜 晶体缺陷 产生机制 隧道应力

作者: 谭长华 许铭真

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 90-91

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）