在直接隧道应力下2nm超薄氧化膜体缺陷的产生特性

摘要：

随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流代替F-N隧道电流,成为MOS器件和EEPROM器件性能退化的重要原因之一.所以,研究直接隧道应力下的超薄氧化膜体缺陷的产生特性,成为超薄氧化膜可靠性研究的重要课题之一.

关键词： 二氧化硅薄膜 隧道应力 晶体缺陷 MOS器件

作者: 许铭真 谭长华 段小蓉

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 87-89

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）