降低GaAs抛光晶片亚表面损伤层的分析

摘要：

作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并用TEM测量晶片亚表面损伤层厚度.

关键词： 砷化镓 抛光 表面损伤层 电学性质

作者: 郑红军 卜俊鹏 尹玉华 惠峰

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 84-84

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）