GaAs抛光晶片亚表面损伤层结构分析

摘要：

采用范德堡霍尔方法测量GaAs抛光晶片的电学性质(迁移率、电导率、载流子浓度),根据迁移率、电导率、载流子浓度随样品截面积减小(用化学腐蚀方法来减小)时的变化来检测损伤层的存在及其深度.由Read的位错散射理论计算得到位错密度与样品截面积的关系;从而认为抛光晶片亚表面损伤主要是”位错”(即”位错裂隙”)的作用.

关键词： 砷化镓晶片 抛光 损伤层 电学性质

作者: 孙虹 尹玉华 郑红军

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 82-82

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）