Si(100)衬底上n-SiC/p-Si异质结构研究

摘要：

本文报道用低压VCD方法在Si及SiCe/Si衬底上大面积、无坑洞SiC薄膜材料的制备技术及异质结构特征,提高n-SiC/p-Si异质结二极管反向击穿电压.

关键词： 半导体薄膜 化学气相淀积 Si衬底 异质结构

作者: 孙国胜 王雷 赵万顺 罗木昌 孙艳玲 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 75-77

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）